本站原创摘要4-5
Abstract5-9
第1章 绪论9-25
1.1 探讨目的与作用9-10
1.2 材料显微结构与性能的联系10-13
1.3 制约材料显微结构的若干因素13-20
1.3.1 表面活性剂对材料显微结构的影响13-17
1.3.2 结构缺陷对材料显微结构的影响17-20
1.4 富硼低维材料的探讨近况20-23
1.4.1 富硼材料的性能探讨20-21
1.4.2 富硼材料的制备与显微结构探讨21-23
1.5 本论文的内容和革新点23-25
1.5.1 本论文的内容23-24
1.5.2 本论文的革新点24-25
第2章 探讨策略25-34
2.1 本章引论25
2.2 电子显微镜的基本原理和仪器参数25-34
2.2.1 扫描电子显微镜（SEM）25-26
2.2.2 透射电子显微镜（TEM）26-34
第3章 富硼低维材料的制备34-58
3.1 序言34-35
3.2 富硼低维材料制备工艺探讨35-42
3.2.1 混料工艺对富硼低维材料产率的影响探讨35-39
3.2.2 甘油添加剂对富硼低维材料产率和成分的影响39-42
3.3 影响富硼低维材料产率和显微结构的实验因素42-53
3.3.1 BaO 对富硼低维材料产率和显微结构的影响42-48
3.3.2 烧结温度对富硼低维材料显微结构和成分的影响48-53
3.4 化学气相沉积法制备富硼低维材料53-56
3.5 本章小结56-58
第4章 富硼晶须的表征与生长机理58-81
4.1 序言58-59
4.2 富硼晶须的表征和生长机理探讨59-79
4.2.1 晶须的形貌特点59-62
4.2.2 晶须的透射电镜表征与晶须的生长机理探讨62-67
4.2.3 孪晶凹角生长机制的细节探讨67-75
4.2.4 “核-壳”结构晶须的表征与生长机理探讨75-79
4.3 本章小结79-81
第5章 五角星纳米线的表征与生长机制探讨81-107
5.1 序言81-82
5.2 五角星纳米线的探讨近况82-89
5.2.1 五角星纳米线的制备与表征82-83
5.2.2 五角星纳米线的本征间隙83-87
5.2.3 金属五角星纳米线的生长机制87-89
5.3 富硼五角星纳米线的形貌与结构89-93
5.3.1 五角星纳米线的结构鉴定89-91
5.3.2 探讨富硼五角星纳米线的作用91-93
5.4 B4C 五角星纳米棒截面表征与富硼五角星纳米线生长机理93-106
5.4.1 B4C 纳米棒循环孪晶截面表征93-95
5.4.2 B4C 纳米棒本征间隙承担机制探讨95-97
5.4.3 B4C 五角星纳米棒的表面偏聚现象97-103
5.4.4 富硼纳米线的动力学生长现象103-106
5.5 本章小结106-107
第6章 富硼低维材料表面化学和表面结构探讨107-125
6.1 序言107
6.2 表面偏聚-材料科学有的科学不足107-109
6.3 Ba 原子在富硼材料（001）面上的偏聚现象109-117
6.4 富硼低维材料的表面结构探讨117-121
6.5 富硼低维材料复杂变体表征121-124
6.6 本章小结124-125
第7章 结论125-127