本站原创摘要5-6
ABSTRACT6-8
目录8-11
第1章 文献综述11-29
1.1 引言11-12
1.2 新型非挥发性存储器介绍12-15
1.2.1 相变存储器12-13
1.2.2 铁电存储器13-14
1.2.3 磁存储器14-15
1.2.4 电阻式磁存储器15
1.3 电阻式存储器探讨进展15-22
1.3.1 电阻开关特性分类16-17
1.3.2 电阻式存储器的材料17-20
1.3.3 电流传导机制20-22
1.4 电阻开关效应的机制22-26
1.4.1 灯丝论述22-24
1.4.2 电荷俘获和释放机制24-25
1.4.3 肖特基发射效应25-26
1.5 电阻式存储器的集成结构26-27
1.5.1 1R 结构26-27
1.5.2 1T1R 结构27
1.5.3 1D1R 结构27
1.6 本课题探讨的内容及作用27-29
第2章 电阻式存储器特性测试仪原理29-33
2.1 几种测试方式的比较29
2.2 电阻式存储器特性测试仪的原理29-30
2.3 电阻式存储器寿命测试中的条件判断30-32
2.4 本章小结32-33
第3章 电阻开关特性测试系统的硬件实现33-45
3.1 电阻开关特性寿命测试系统的结构图33-34
3.2 USB2813A 数据采集器34-38
3.2.1 USB2813A 的 DA 模拟量输出模块35-36
3.2.2 USB2813A 的 AD 模拟量输入模块36-37
3.2.3 USB2813A 的数字信号输入/输出模块37-38
3.3 限流保护设计38-42
3.3.1 限流保护部分的组成38
3.3.2 多路开关芯片 ADG70638-40
3.3.3 保护电阻之间的切换40-42
3.4测试样品台的搭建42-44
3.5 本章小结44-45
第4章 电阻开关特性测试系统的软件实现45-53
4.1 系统软件的整体设计45-48
4.1.1 程序设计框图45-46
4.1.2 对话框的设计与初始化46-48
4.1.3 设备对向的创建48
4.2 程序主体部分设计48-51
4.2.1 信号的输入/输出和电阻切换48-49
4.2.2 数据的保存与读取49-50
4.2.3 图形的绘制50-51
4.3 单次电阻开关特性测试51-52
4.4 本章小结52-53
第5章 Au/Bi_2O_3/Si/Al 薄膜电阻存储器寿命的探讨53-67
5.1 薄膜的制备策略53-57
5.1.1 常用的薄膜制备法53-55
5.1.2 射频反应磁控溅射法镀膜55-57
5.2 薄膜的性能表征57-59
5.2.1 X 射线衍射（XRD）测试57-59
5.2.2 薄膜的光学性能测试59
5.2.3 I-V 特性及寿命测试59
5.3 Bi_2O_3薄膜的制备59-63
5.3.1 不同沉积时间 Bi_2O_3薄膜的制备条件59-60
5.3.2 不同沉积时间 Bi_2O_3薄膜厚度的计算60-62
5.3.3 不同薄膜厚度对 Bi_2O_3薄膜晶体结构的影响62-63
5.4 Bi_2O_3薄膜的开关特性及其寿命测试63-66
5.4.1 不同薄膜厚度对 Bi_2O_3薄膜电阻开关特性的影响63-65
5.4.2 不同薄膜厚度对 Bi_2O_3薄膜电阻开关特性寿命的影响65-66
5.5 本章小结66-67
第6章 结论67-68
致谢68-69