本站原创摘要5-6
ABSTRACT6-8
目录8-11
第1章 绪论11-25
1.1 引言11-12
1.2 Bi_2O_3的基本性质与运用12-14
1.2.1 Bi_2O_3的性质与结构12
1.2.2 Bi_2O_3的主要运用12-14
1.3 Bi_2O_3薄膜的制备工艺14-16
1.3.1 真空蒸发法14-15
1.3.2 化学气相沉积法15
1.3.3 脉冲激光沉积法15
1.3.4 喷雾热解法15-16
1.3.5 溶胶凝胶法16
1.3.6 磁控溅射法16
1.4 新型非挥发性存储器介绍16-23
1.4.1 磁阻式随机存取存储器（MRAM）17-19
1.4.2 铁电随机存取存储器（FeRAM）19-20
1.4.3 相变随机存取存储器（PCRAM）20-22
1.4.4 电阻式随机存取存储器（ReRAM）22-23
1.5 选题作用及探讨内容23-25
第2章 电阻式随机存取存储器的概述25-37
2.1 ReRAM 的材料系统25-26
2.1.1 有机材料25
2.1.2 固态电解质材料25
2.1.3 多元金属氧化物25-26
2.1.4 二元金属氧化物26
2.2 ReRAM 的阻变机制26-32
2.2.1 体效应26-31
2.2.2 界面效应31-32
2.3 电流传导机制32-35
2.3.1 欧姆传导33
2.3.2 肖特基发射33
2.3.3 普尔-法兰克发射33
2.3.4 空间电荷限制电流33-35
2.4 ReRAM 的集成结构35-36
2.4.1 1R 单元结构35-36
2.4.2 1T1R 单元结构36
2.4.3 1D1R 单元结构36
2.5 本章小结36-37
第3章 薄膜的制备及其表征技术37-43
3.1 薄膜的制备37-40
3.1.1 射频磁控溅射的原理37
3.1.2 射频磁控溅射设备37-39
3.1.3 真空蒸发39-40
3.2 薄膜性能的表征40-42
3.2.1 X 射线衍射（XRD）测试40-41
3.2.2 薄膜光学性能的测试41
3.2.3 I-V 特性曲线测试41-42
3.3 本章小结42-43
第4章 基于 Bi_2O_3薄膜的 ReRAM 器件的制备43-48
4.1 薄膜制备准备工作43-44
4.2 Bi_2O_3薄膜的沉积44-45
4.3 Bi_2O_3薄膜沉积速率的计算45-47
4.3.1 Bi_2O_3薄膜厚度的计算45-46
4.3.2 Bi_2O_3薄膜的沉积速率46-47
4.4 本章小结47-48
第5章 硅衬底上 Bi_2O_3薄膜的电阻开关特性的探讨48-70
5.1 引言48
5.2 电阻开关现象探讨48-51
5.3 沉积温度对 Bi_2O_3薄膜性能的影响51-56
5.3.1 沉积温度对 Bi_2O_3薄膜晶体结构的影响51-53
5.3.2 沉积温度对 Bi_2O_3薄膜电阻开关特性的影响53-56
5.4 沉积时间对 Bi_2O_3薄膜性能的影响56-60
5.4.1 不同沉积时间对 Bi_2O_3薄膜晶体结构的影响57-58
5.4.2 不同沉积时间对 Bi_2O_3薄膜电阻开关特性的影响58-60
5.5 氧氩比对 Bi_2O_3薄膜性能的影响60-64
5.5.1 不同氧氩比对 Bi_2O_3薄膜晶体结构的影响61-62
5.5.2 不同氧氩比对 Bi_2O_3薄膜电阻开关特性的影响62-64
5.6 退火温度对 Bi_2O_3薄膜性能的影响64-69
5.6.1 退火温度对 Bi_2O_3薄膜晶体结构的影响65-66
5.6.2 退火温度对 Bi_2O_3薄膜电阻开关特性的影响66-69
5.7 本章小结69-70
第6章 结论70-71
致谢71-72