本站原创摘要4-5
Abstract5-9
第1章 绪论9-23
1.1 引言9
1.2 TCO薄膜的进展9-13
1.2.1 n型导电TCO薄膜的进展10-11
1.2.2 p型导电TCO薄膜的进展11-13
1.3 SnO_2薄膜的探讨进展13-16
1.3.1 P型导电SnO_2薄膜的探讨进展14-16
1.4 TCO薄膜的制备策略16-19
1.4.1 磁控溅射法17-18
1.4.2 喷雾热分解法18-19
1.4.3 溶胶-凝胶法19
1.5 PN结19-22
1.5.1 PN结及其内建电场19-21
1.5.2 TCO薄膜PN结21-22
1.6 本课题的探讨目的及内容22-23
第2章 实验23-30
2.1 实验准备23-25
2.1.1 金属和陶瓷靶材的制备23-24
2.1.2 衬底的选择与清洗24-25
2.2 磁控溅射制备ATO薄膜25-27
2.2.1 磁控溅射原理25-26
2.2.2 磁控溅射法制备ATO薄膜26
2.2.3 磁控溅射工艺条件的影响26-27
2.3 薄膜的热处理27
2.4 ATO薄膜性能表征27-30
2.4.1 薄膜晶体结构的表征27-28
2.4.2 薄膜表面形貌、成分浅析和膜厚的测试28
2.4.3 薄膜光学性能的测试28
2.4.4 薄膜电学性能的测试28-30
第3章 直流反应溅射P型导电ATO薄膜30-40
3.1 引言30-31
3.2 氧流量对p型ATO薄膜影响31-35
3.2.1 不同氧气流量下直流反应溅射的薄膜电学性能31-33
3.2.2 氧流量对薄膜导电性能的影响33-35
3.3 衬底温度对p型ATO薄膜影响35-39
3.3.1 不同衬底温度下直流反应溅射的薄膜电学性能36-37
3.3.2 衬底温度对薄膜导电性能的影响37-39
3.4 小结39-40
第4章 石英基片射频溅射法制备P型导电ATO薄膜40-54
4.1 引言40
4.2 射频溅射法制备p型导电ATO薄膜40-41
4.3 P型导电ATO薄膜的光学、电学性能41-43
4.3.1 可见光区间透过率41-42
4.3.2 Hall电学测试42-43
4.4 P型导电ATO薄膜的结晶结构及形貌浅析43-46
4.4.1 X射线衍射浅析43-45
4.4.2 场发射扫描电镜(FESEM)浅析45-46
4.5 P型导电ATO薄膜的组分和元素价态浅析46-51
4.5.1 EDS浅析46-49
4.5.2 XPS浅析49-51
4.6 ATO薄膜导电性能的影响浅析51-53
4.7 小结53-54
第5章 P-ATO/N-AZO薄膜PN结的制备54-57
第6章 结论57-58