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摘要：基准源包括基准电压源和基准电流源，基准源模块广泛的运用于模拟和混合集成电路中，如A/D、D/A转换器等，基准源模块的性能直接影响系统性能。本论文利用工作在亚阈值的MOET设计电压基准源。在电压模基准源电路和电流模基准源电路的基础上，重点围绕输出电压温度系数和输出电压电源电压抑制比两个性能指标对电路进行改善，分别设计温度补偿电路和偏置电流源电路，设计新的电流模基准源电路和电压模基准源电路。在电流模基准源电路的设计中，本论文通过对常见的温度补偿对策的性能比较，结合电流模电路的特点选择分段温度补偿对策，详细叙述了本论文设计的分段温度补偿电路的设计原理以及电路实现；利用微功耗运算放大器提升PTAT电流源电路的电源电压抑制比以达到提升输出电压电源抑制比的目的，并且不会造成过大的功率损耗。在电压模基准源电路的设计中，通过两个亚阈值CMOS共源耦合对产生正温度系数电压与亚阈值CMOS的栅源电压进行补偿得到一个具有零温度系数的输出基准电压，详细论述补偿电路的工作原理；利用带微功耗运算放大器的倍增自偏置电流提供偏置电流以提升输出电压的电源电压抑制比；利用工作在线性区的MOET替代电阻以降低版图面积。最后，本论文基于Chat0.18μm CMOS标准工艺，利用Cadence软件Spectre模块对设计电路进行电路仿真。仿真结果达到设计指标：两款电路最低工作电压为1.1V；输出基准电压分别为364.45mV和797.9mV；温度系数分别在-40℃～140℃和-40℃～125℃的温度范围内为10ppm/°C和12ppm/°C；在低频时电源抑制比分别为84dB和80dB。关键词：基准源论文亚阈值电压论文温度补偿论文电压抑制比论文
摘要5-6
Abstract6-7
目录7-8
第一章 绪论8-13
1.1 引言8
1.2 CMOS 基准源进展历史及探讨近况8-12
1.3 设计指标12
1.4 本论文的主要内容12-13
第二章 亚阈值 CMOS 基准电路的模型13-38
2.1 亚阈值 CMOS 电压基准电路14-25
2.1.1 亚阈值 CMOS 电压模基准源的基本构成14-15
2.1.2 亚阈值 CMOS 电压模基准源电路15-20
2.1.3 电路仿真20-25
2.2 亚阈值 CMOS 电流基准电路25-38
2.2.1 亚阈值 CMOS 电流模基准源的基本构成25-26
2.2.2 亚阈值 CMOS 电流模基准源电路26-33
2.2.3 电路仿真33-38
第三章 低温漂 CMOS 基准电压源的设计38-47
3.1 正温度系数（PTAT）电流源电路38-39
3.2 温度补偿电路39-42
3.3 电路仿真42-47
3.3.1 直流仿真42-44
3.3.2 交流特性仿真44-46
3.3.3 瞬态仿真46-47
第四章 电压模亚阈值 CMOS 基准源的设计47-54
4.1 基本电路及工作原理47-50
4.2 电路仿真50-52
4.3 小结52-54
结论54-55