本站原创摘要4-5
ABSTRACT5-9
第一章 引言9-18
1.1 红外科学技术9-12
1.1.1 红外辐射的本质9-10
1.1.2 红外技术的进展10-11
1.1.3 红外技术在现代军事领域中的运用11-12
1.1.4 红外技术在现代民用领域中的运用12
1.2 硫化铅红外探测器12-16
1.2.1 红外探测器的基本原理12-14
1.2.2 硫化铅红外探测器概述14-15
1.2.3 硫化铅红外探测器的进展动态15-16
1.3 本论文的探讨案例及技术路线16-18
第二章 PbS的主要性能参数测试策略18-25
2.1 PbS薄膜的微结构表征18-19
2.1.1 XRD物相浅析18-19
2.1.2 SEM表面形貌浅析19
2.2 PbS薄膜的光电特性测试19-25
2.2.1 薄膜方阻测试19-20
2.2.2 红外光敏特性测试20-21
2.2.3 伏安特性测试21-22
2.2.4 响应时间测试22-23
2.2.5 电阻温度特性测试23-25
第三章 PbS薄膜的沉积工艺及其性能探讨25-41
3.1 PbS薄膜的沉积25-29
3.1.1 基片及器皿的清洗25-26
3.1.2 原料及反应液的配置26-27
3.1.3 PbS薄膜的沉积原理及工艺流程27-29
3.2 沉积温度对PbS薄膜微结构与红外响应的影响29-32
3.2.1 表面形貌浅析30-31
3.2.2 方阻与灵敏度31-32
3.3 磁力搅拌速率对PbS薄膜微结构与红外响应的影响32-34
3.3.1 表面形貌浅析32-33
3.3.2 方阻与灵敏度33-34
3.4 动态升温与静置恒温工艺下薄膜性能的比较34-40
3.4.1 晶体结构34-35
3.4.2 表面形貌与成分浅析35-36
3.4.3 方阻与灵敏度36-37
3.4.4 Ⅰ-Ⅴ特性与响应时间37-38
3.4.5 电阻温度特性38-40
3.5 本章小结40-41
第四章 PbS薄膜的敏化工艺及其性能探讨41-53
4.1 PbS薄膜的高温敏化工艺41-42
4.2 PbS薄膜的敏化原理42-45
4.2.1 少数载流子势垒论述42-44
4.2.2 PbS薄膜光暗电导率的论述推导44-45
4.3 PbS薄膜在不同退火气氛下的性能探讨45-53
4.3.1 微结构45-47
4.3.2 方阻与光电导灵敏度47-48
4.3.3 Ⅰ-Ⅴ特性与响应时间48-51
4.3.4 电阻温度特性51-53
第五章 PbS探测器的制备封装及老化条件探讨53-60
5.1 PbS薄膜的电极制作53-55
5.2 PbS薄膜的封装技术55-56
5.3 PbS探测器在不同老化条件下的性能探讨56-60
5.3.1 方阻与灵敏度56-58
5.3.2 电阻温度特性58-60
第六章 结论60-61
致谢61-62