本站原创摘要5-6
Abstract6-11
第1章 绪论11-31
1.1 引言11-12
1.2 金属氧化物半导体薄膜气体传感器材料12-18
1.2.1 表面制约型14-16
1.2.2 体制约型16-18
1.3 金属氧化物半导体薄膜制备18-21
1.3.1 溅射法19
1.3.2 化学气相沉积19
1.3.3 喷雾热分解法19-20
1.3.4 溶胶-凝胶法20-21
1.3.5 新的薄膜制备技术21
1.4 薄膜气敏传感器性能改善21-28
1.4.1 气敏膜方面的探讨22-25
1.4.2 传感器结构方面的工作25-28
1.5 课题的提出及探讨内容28-31
第2章 金属氧化物半导体薄膜电学特性论述基础31-53
2.1 二氧化锡薄膜结构和性能31-32
2.2 金属氧化物半导体薄膜电学特性32-48
2.2.1 金属氧化物薄膜电学论述32-40
2.2.2 薄膜传感器的结构模型40-42
2.2.3 电子在金属氧化物薄膜中的传输42-46
2.2.4 薄膜电导46-48
2.3 金属半导体的肖特基接触48-51
2.3.1 金属半导体接触原理48-49
2.3.2 肖特基载流子输运49-50
2.3.3 肖特基接触的势垒50
2.3.4 影响肖特基势垒高度的因素50-51
2.4 本章小结51-53
第3章 二氧化锡复合薄膜的制备及表征53-89
3.1 溶胶-凝胶法的基本原理和特点53-54
3.2 掺杂元素的选择54-56
3.3 二氧化锡复合薄膜的制备56-60
3.3.1 实验所用的设备与器材56-57
3.3.2 主要原料57
3.3.3 实验流程57-60
3.4 溶胶凝胶法制备薄膜样品的表征60-87
3.4.1 X射线衍射(XRD)浅析61-68
3.4.2 扫描电子显微镜(SEM)浅析68-80
3.4.3 电学特性浅析80-87
3.5 本章小结87-89
第4章 金属氧化物半导体薄膜气敏性能的模拟浅析89-113
4.1 金属氧化物半导体薄膜气敏机理的探讨89-95
4.2 气体在气敏膜中的浓度95-99
4.3 气体传感器的主要性能参数99
4.4 气敏传感器灵敏度的模型99-105
4.4.1 气敏传感器灵敏度模型的建立99-102
4.4.2 气敏传感器灵敏度模型的模拟102-105
4.5 气敏传感器响应时间的模型105-111
4.5.1 气敏传感器响应时间模型的建立105-108
4.5.2 气敏传感器响应时间模型的模拟108-111
4.6 本章小结111-113
第5章 结论和展望113-115
5.1 结论113-114
5.2 展望114-115